-
Tub de Williams
Primer dispositiu de memòria RAM electrònica. Emprava tubs de raigs catòdics per emmagatzemar dades en forma de punts carregats elèctricament en una pantalla. Tot i ser una gran innovació, era inestable i car, amb capacitat molt limitada (unes desenes de bits) i problemes de fiabilitat. -
Memòria de línia de retard i nucli magnètic
En aquest període es fan servir solucions com la memòria de línia de retard (usant ones de so en tubs) i, sobretot, la memòria de nucli magnètic, que utilitzava anells magnètics per emmagatzemar bits. Va esdevenir l'estàndard fins a mitjans dels anys 70 per la seva estabilitat i persistència. -
Memòria de nucli magnètic
Considerada la primera forma de RAM pràctica i robusta. Cada bit era emmagatzemat en un petit toroide de material ferromagnètic. Era no volàtil i permetia una lectura directa i fiable. Tot i la seva mida i cost, va suposar un salt enorme en estabilitat respecte a sistemes anteriors. -
Intel 1103: Primer xip DRAM comercial
Desenvolupat per Intel, va ser el primer xip DRAM (Dynamic RAM) disponible comercialment. Va revolucionar la indústria, ja que permetia produir RAM molt més petita, barata i ràpida que la memòria magnètica. Aquest xip tenia una capacitat de 1 Kbit (1024 bits). -
DRAM (Dynamic RAM)
La DRAM es basa en condensadors per emmagatzemar dades, però cal refrescar-los constantment, ja que perden càrrega amb el temps. Durant aquests anys, la DRAM es converteix en l’estàndard dels ordinadors personals. Cada cel·la ocupa menys espai que la SRAM, fent-la més adequada per a grans quantitats de memòria. -
FPM DRAM (Fast Page Mode)
Aquesta variant de DRAM permetia accedir més ràpidament a dades emmagatzemades en la mateixa “pàgina” o bloc de memòria, millorant el rendiment general. S’utilitzava en molts PC dels anys 80 i principis dels 90. -
EDO RAM (Extended Data Out)
Permet accedir a una nova direcció de memòria mentre encara es manté la sortida de dades anterior. Això va millorar el rendiment respecte a la FPM DRAM en un 10–15%. Molt utilitzada fins a l'arribada de l'SDRAM. -
SDRAM (Synchronous DRAM)
Sincronitzada amb el rellotge del sistema, fet que li permet accedir a dades de forma més ordenada i eficient. Aquest avenç va fer possible incrementar significativament la velocitat i fiabilitat de la memòria. Va marcar el començament de la memòria moderna. -
DDR SDRAM (Double Data Rate)
Pot transferir dades tant a la pujada com a la baixada del senyal de rellotge (dues vegades per cicle), doblant així la velocitat de transferència respecte a l’SDRAM. S’utilitzà àmpliament en ordinadors de principis dels 2000. -
DDR2 SDRAM
Millora les taxes de transferència augmentant la freqüència de rellotge interna i reduint el consum energètic. Encara que augmenta la latència, les altes velocitats compensen. Estàndard en molts ordinadors entre 2005 i 2008. -
DDR3 SDRAM
Redueix encara més el voltatge (d’1.8 V a 1.5 V), cosa que millora l’eficiència energètica i augmenta la capacitat per mòdul. Va ser la memòria més comuna fins a mitjans de la dècada del 2010. Suportava capacitats molt més grans.