TRASCENDENCIA DE MEMORIAS RAM Y ROM

DDR3 – 2000

2008 BCE

Velocidad de transferencia
16.0 GB/s
2000 MHz

RDRAM

2008 BCE

También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit

DDR3 – 1066

2007 BCE

Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.

DDR3 – 1333

2007 BCE

De las primeras memorias clasificadas como de “Low-Latency” con velocidades de transferencia de 10.667 GB/s 1333 MHz

DDR3 – 1600

2007 BCE

Velocidad de transferencia de la información
12.80 GB/s
1600 MHz

DDR3 – 1800

2007 BCE

Velocidad de transferencia 14.40 GB/s
1800 MHz

PC3200 – DDR400

2004 BCE

Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.

PC4200 – DDR533

2004 BCE

Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s.

PC4800 – DDR600

2004 BCE

Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.

PC5300 – DDR667

2004 BCE

Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.

PC6400 – DDR800

2004 BCE

Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

DDR3 – 800

2004 BCE

Trabajan a un voltaje de 1.5V dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

PC2100 – DDR266

2002 BCE

memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.

PC1600 – DDR200

2001 BCE

Velocidad de transferencia 1600 MB/s

EAROM

2000 BCE

Memoria no volátil, es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de programada.

PC133: SDR SDRAM

1999 BCE

Velocidad de transferencia: La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.

RAMBUS PC600

1999 BCE

Velocidad de transferencia
1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s 266MHz.

RAMBUS PC700

1999 BCE

Velocidad de transferencia
1.42 GB/s por canal, que hacen en total 2.84 GB/s 356 MHz

RAMBUS PC800

1999 BCE

Velocidad de transferencia
1.6 GB/s por canal, que hacen en total 3.2 GB/s 400 MHz

RDRAM

1999 BCE

También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit

ESDRAM

1999 BCE

Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales.
Velocidad de transferencia de la información: Hasta 1.6 GB/s 133MHz y hasta 3.2 GB/s 150 MHz

DDR-SDRAM

1999 BCE

Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM)
Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.

PC100: SDR SDRAM

1998 BCE

Velocidad de transferencia: La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.

BEDO-RAM

1997 BCE

Velocidad de transferencia: Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s.

SDR SDRAM

1997 BCE

Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns.

PC66: SDR SDRAM

1997 BCE

Velocidad de transferencia: La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.

EDO-RAM

1994 BCE

Velocidad de transferencia: 320 MB/s
Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 o 50 ns.

FPM-RAM

1990 BCE

Velocidad de transferencia: 200 MB/s
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz)

EEPROM

1980 BCE

Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y re-programado eléctrica-mente
su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante.

MK4096

1973 BCE

MOSTEK lanzo la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines.

EPROM

1971 BCE

Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil
Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor); pueden venir en diferentes tamaños
y capacidades.

TWISTOR MEMORY

1970 BCE

Basada en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 2101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1 Kilobyte

SIMM

1970 BCE

El formato SIMM elimino los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes impresos similares a los de las tarjeta de expansión tienen la misma distribución de pines

PROM

1956 BCE

Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o anti fusible), que puede ser quemado una sola vez.

MEMORIA DE NÚCLEO MAGNÉTICO

1950 BCE

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético y usada en muchos computadores.

MEMORIAS RAM Y ROM

Period: 1950 BCE to 2008 BCE

Trascendencia de las memorias RAM y ROM desde el año de 1950 hasta el año de 2008